샌디스크, 고대역폭 플래시 메모리 발표
샌디스크가 새로운 고대역폭 플래시 메모리(HBF)를 발표하며 GPU에서 최대 4TB VRAM을 가능하게 했다.
현지시간 지난 13일 샌디스크는 3D 낸드와 고대역폭 메모리(HBM)의 장점을 결합한 혁신적인 새로운 메모리 기술을 공개했다. 이 기술은 여러 개의 대용량 3D 낸드 어레이에 병렬로 액세스할 수 있어 뛰어난 대역폭과 용량을 제공한다.
샌디스크는 HBF를 낮은 전력 소비와 높은 대역폭 및 용량을 요구하는 AI 추론 애플리케이션에 적합한 솔루션으로 자리매김할 예정이다. 또한 샌디스크는 이 기술이 휴대폰과 기타 장치에 도입될 가능성도 있다고 언급했다.
샌디스크의 메모리 기술 책임자인 알퍼 일크바하르(Alper Ilkbahar)는 “HBF 기술은 AI 추론 워크로드를 위한 HBM 메모리의 대체 기술이다”며 “HBM 메모리보다 8~16배 더 많은 용량을 제공하면서도 동일한 대역폭을 유지한다”고 설명했다.
HBF는 개념적으로 HBM과 유사하며 플래시 어레이에 병렬로 액세스할 수 있는 로직 다이 위에 스루 실리콘 비아(TSV)를 사용하여 여러 고용량, 고성능 플래시 코어 다이를 스택하는 방식으로 구성된다.
샌디스크의 BICS 3D 낸드를 기반으로 한 HBF는 로직 프로세스 기술을 활용해 I/O 다이 위에 3D 낸드 메모리 어에이를 결합한 아키텍처를 채택하고 있다.
기존 낸드 다이 디자인은 핵심 낸드 플래시 메모리 배열을 평면, 페이지, 블록 단위로 처리한다. 반면 HBF는 다이를 여러 배열로 나누어 각각 병렬로 접근할 수 있도록 하여 더 큰 대역폭을 얻는다.
샌디스크는 1세대 HBF가 16개의 HBF 코어 다이를 사용할 것이라고 밝혔다. 이를 위해 독점적인 스태킹 기술과 여러 HBF 코어 다이의 데이터에 동시에 액세스할 수 있는 로직 다이를 발명했다.
한편 샌디스크는 HBF의 실제 성능 수치를 공개하지 않았으며 HBF가 기존 HBM 기술과 동일한 성능을 제공하는지 아니면 최신 HBM3E 기술처럼 더 높은 성능을 제공하는지에 대한 의문이 남아있다.