샌디스크, 고대역폭 플래시 메모리 발표

샌디스크가 새로운 고대역폭 플래시 메모리(HBF)를 발표하며 GPU에서 최대 4TB VRAM을 가능하게 했다. (사진 = 샌디스크)

 

샌디스크가 새로운 고대역폭 플래시 메모리(HBF)를 발표하며 GPU에서 최대 4TB VRAM을 가능하게 했다.

 

현지시간 지난 13일 샌디스크는 3D 낸드와 고대역폭 메모리(HBM)의 장점을 결합한 혁신적인 새로운 메모리 기술을 공개했다. 이 기술은 여러 개의 대용량 3D 낸드 어레이에 병렬로 액세스할 수 있어 뛰어난 대역폭과 용량을 제공한다.

 

샌디스크는 HBF를 낮은 전력 소비와 높은 대역폭 및 용량을 요구하는 AI 추론 애플리케이션에 적합한 솔루션으로 자리매김할 예정이다. 또한 샌디스크는 이 기술이 휴대폰과 기타 장치에 도입될 가능성도 있다고 언급했다.

 

샌디스크의 메모리 기술 책임자인 알퍼 일크바하르(Alper Ilkbahar)는 “HBF 기술은 AI 추론 워크로드를 위한 HBM 메모리의 대체 기술이다”며 “HBM 메모리보다 8~16배 더 많은 용량을 제공하면서도 동일한 대역폭을 유지한다”고 설명했다.

 

HBF는 개념적으로 HBM과 유사하며 플래시 어레이에 병렬로 액세스할 수 있는 로직 다이 위에 스루 실리콘 비아(TSV)를 사용하여 여러 고용량, 고성능 플래시 코어 다이를 스택하는 방식으로 구성된다.

 

샌디스크의 BICS 3D 낸드를 기반으로 한 HBF는 로직 프로세스 기술을 활용해 I/O 다이 위에 3D 낸드 메모리 어에이를 결합한 아키텍처를 채택하고 있다.

 

기존 낸드 다이 디자인은 핵심 낸드 플래시 메모리 배열을 평면, 페이지, 블록 단위로 처리한다. 반면 HBF는 다이를 여러 배열로 나누어 각각 병렬로 접근할 수 있도록 하여 더 큰 대역폭을 얻는다.

 

샌디스크는 1세대 HBF가 16개의 HBF 코어 다이를 사용할 것이라고 밝혔다. 이를 위해 독점적인 스태킹 기술과 여러 HBF 코어 다이의 데이터에 동시에 액세스할 수 있는 로직 다이를 발명했다.

 

한편 샌디스크는 HBF의 실제 성능 수치를 공개하지 않았으며 HBF가 기존 HBM 기술과 동일한 성능을 제공하는지 아니면 최신 HBM3E 기술처럼 더 높은 성능을 제공하는지에 대한 의문이 남아있다.